1、 图中红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图中可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。 比如DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
2、 在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，DDR内存采用了薄型小尺寸封装封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用底部球形引脚封装技术，与薄型小尺寸封装封装技术相比，内存颗粒就小巧很多，底部球形引脚封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
3、 延迟值：一代比一代高 任何内存都有一个CAS延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。 从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如DDR内存的延迟值（第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了）为1.5、2、2.5、3；而到了DDR2时代，延迟值提升到了3、4、5、6；到了DDR3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。
4、 功耗：一次又一次降低 电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V；到了DDR3内存时代，工作电压从1.8V降至1.5V，相比DDR2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从DDR内存发展到DDR3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。
5、 制造工艺：不断提高 从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺，DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺（1微米＝1000纳米）。
6、 总结 内存的知识就讲到这里了，总的说来，内存主要扮演着CPU数据仓库的角色，所以CPU性能的提升，内存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把内存容量配得过大。对于大多数用户来说2GBDDR2800MHz的内存就足够了，而偏高端一点的电脑使用总容量为4GB的内存就差不多了。 内存条怎样区分是几代的？有什么区别？ 1.SDR两个缺口，单面84针脚，双面168针脚，电压3.3V，内存颗粒长方形（已淘汰）。 2.DDR1（第一代）一个缺口，单面92针脚，双面184针脚，电压2.5V，内存颗粒长方形工作频率266MHz，333MHz，400 MHz。 3.DDR2（第二代）一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.8V，内存颗粒正方形工作频率533 MHz，667 MHz，800 MHz。 4.DDR3（第三代）一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.5V，内存颗粒正方形工作频率1066 MHz，1333 MHz，1800 MHz。