经过3-4年的发展，如今固态硬盘已经成为很多用户垂延的IT产品，大家不再纠结它容量太小，而是更加依赖它高速读写能力。虽然用户开始关注SSD硬盘，但是还是有很多小白用户对它不太理解，尤其是采用SLC和MLC颗粒的固态硬盘有什么区别，相信很多用户都不是非常明白，那么本文就教给大家如何区别两者。
固态硬盘Flash颗粒
要认清问题，首先要搞明白什么是SLC和MLC，它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，用来作为MP3播放器、U盘、固态硬盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC大一倍。
● SLC和MLC芯片
这样在NAND Flash的底层存储上就引出了两种不同的模式，SLC（Single Level Cell）和MLC（Multi Levels Cell），它们之间各有优缺点，现在在各类产品中都有采用。下面这样表格可以较为直观的展示出他们性能区别。
SLC NAND Flash MLC NAND Flash
Random Read 25 µs 50 µs
Erase 2ms per block 2ms per block
Programming 250 µs 900 µs
SLC的一个Flash存储单元只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。SLC结构简单，用一组变化电压驱动，速度很快同时寿命较长也更为可靠，不过这种一个Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，存储容量提高完全依赖芯片工艺的提升。
SLC芯片
MLC闪存芯片
MLC故名思义在存储单元中实现多位存储能力，典型的是2bit。它通过不同级别的电压在一个单元中记录两组位信息（00、01、11、10），这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。因为电压变化更频繁，所以MLC技术的Flash在寿命方面远劣于SLC，同时它的读写速度不如SLC，一个Block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。
SLC和MLC电压驱动的存储能力区别
显而易见，SLC在寿命和性能方面拥有独特的优势，不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量。而MLC虽然在容量方面有先天的优势，但在速度和寿命方面存在先天的不足。这就区格了它们的应用，SLC用在不计成本追求速度和可靠性的企业级产品中，MLC更适合在消费级产品中部署。