1、PMOS为N衬底 P沟道 靠空穴导电的晶体管。由于空穴迁移率较低,在晶体管几何尺寸和WP想相同的情况下,其跨导小于NMOS;一般PMOS阈值电压的值较高,需有较大的工作电压;PMOS不能与双极型晶体管兼容;PMOS工作速度较NMOS低一些,是因为其逻辑摆幅大、充放电时间长、跨导小。
2、NMOS当vgs大于一定的值即导通,PMOS当vgs小于一定值后即导通,因此NMOS多用于低端驱动而PMOS多用于高端驱动;
3、PMOS电路工艺相对简单,且价格占有极大优势,在一些小成本制作的中小规模数控电路中仍广泛运用。