场效应管的组成

时间:2024-10-14 15:27:20

历史

场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管,Junction-FET,JFET)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET),从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。

电极

所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应BTJ的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被称为体(body)、基(base)、块体(bulk)或衬底(substrate)。这个第四端可以将晶体管调制至运行;在电路设计中,很少让体端发挥大的作用,但是当物理设计一个集成电路的时候,它的存在就是重要的。在图中栅极的长度(length)L,是指源和漏的距离。宽度(width)是指晶体管的范围,在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz,0.2微米则是约30GHz。

组成

FET由各种半导体构成,目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。

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